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HGT1S20N36G3VL

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부품 번호 HGT1S20N36G3VL
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5280 pcs
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부품 번호 HGT1S20N36G3VL 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5280 pcs 데이터 시트 HGTP,HGT1S20N36G3VL(S)
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 395V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.9V @ 5V, 20A 시험 조건 300V, 10A, 25 Ohm, 5V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C -/15µs 에너지 전환 -
제조업체 장치 패키지 I2PAK (TO-262) 연속 -
전력 - 최대 150W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Logic
IGBT 유형 - 게이트 충전 28.7nC
상세 설명 IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole I2PAK (TO-262) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 37.7A

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