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부품 번호 HGT1S7N60C3DS9A
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 14A 60W TO263AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5998 pcs
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부품 번호 HGT1S7N60C3DS9A 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 14A 60W TO263AB 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5998 pcs 데이터 시트 HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 7A 시험 조건 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C - 에너지 전환 165µJ (on), 600µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-263AB 연속 -
역 회복 시간 (trr) 37ns 전력 - 최대 60W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 - 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 23nC 상세 설명 IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 56A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 14A

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