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HGTD3N60C3S9A

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부품 번호 HGTD3N60C3S9A
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 6A 33W TO252AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4802 pcs
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부품 번호 HGTD3N60C3S9A 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 6A 33W TO252AA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4802 pcs 데이터 시트 HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 3A 시험 조건 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C - 에너지 전환 85µJ (on), 245µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-252AA 연속 -
전력 - 최대 33W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 10.8nC
상세 설명 IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 24A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 6A

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