HGT1S10N120BNST
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| 부품 번호 | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 800 pcs | 1600 pcs | 2400 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.821 | $0.693 | $0.66 | |||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | HGT1S10N120BNST | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 53032 pcs | 데이터 시트 | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.7V @ 15V, 10A | 시험 조건 | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 23ns/165ns | 에너지 전환 | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB | 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 298W | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 다른 이름들 | HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTTR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 44 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Standard |
| IGBT 유형 | NPT | 게이트 충전 | 100nC |
| 상세 설명 | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 80A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 35A | 기본 부품 번호 | HGT1S10N120 |
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