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HGT1S12N60A4DS

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부품 번호 HGT1S12N60A4DS
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 54A 167W D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 23690 pcs
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부품 번호 HGT1S12N60A4DS 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 54A 167W D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 23690 pcs 데이터 시트 HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 12A 시험 조건 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 17ns/96ns 에너지 전환 55µJ (on), 50µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-263AB 연속 -
역 회복 시간 (trr) 30ns 전력 - 최대 167W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 78nC 상세 설명 IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 96A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 54A
기본 부품 번호 HGT1S12N60

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