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HGTD1N120BNS9A

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부품 번호 HGTD1N120BNS9A
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 76228 pcs
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부품 번호 HGTD1N120BNS9A 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 76228 pcs 데이터 시트 HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.9V @ 15V, 1A 시험 조건 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 15ns/67ns 에너지 전환 70µJ (on), 90µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-252AA 연속 -
전력 - 최대 60W 포장 Original-Reel®
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 다른 이름들 HGTD1N120BNS9ADKR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 44 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 NPT 게이트 충전 14nC
상세 설명 IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 6A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 5.3A 기본 부품 번호 HGTD1N120

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