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HGTG11N120CN

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부품 번호 HGTG11N120CN
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 1200V 43A 298W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 6039 pcs
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부품 번호 HGTG11N120CN 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 1200V 43A 298W TO247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 6039 pcs 데이터 시트 HGT(G,P)11N120CN, HGT1S11N120CNS
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.4V @ 15V, 11A 시험 조건 960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 23ns/180ns 에너지 전환 400µJ (on), 1.3mJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-247 연속 -
전력 - 최대 298W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-247-3 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 NPT 게이트 충전 100nC
상세 설명 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 80A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 43A

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