SSM6J771G,LF
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| 부품 번호 | SSM6J771G,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.103 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM6J771G,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 208439 pcs | 데이터 시트 | SSM6J771G |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1mA, 3V |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | U-MOSVI | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 31 mOhm @ 3A, 8.5V |
| 전력 소비 (최대) | 1.2W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFBGA, WLCSP | 다른 이름들 | SSM6J771G,LF(S SSM6J771GLFTR |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.8nC @ 4.5V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 8.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Ta) |
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