SSM6K217FE,LF
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| 부품 번호 | SSM6K217FE,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM6K217FE,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 507289 pcs | 데이터 시트 | SSM6K217FE |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | ES6 | 연속 | U-MOSVII-H |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 195 mOhm @ 1A, 8V | 전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 다른 이름들 | SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 130pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.1nC @ 4.2V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 8V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | 상세 설명 | N-Channel 40V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A (Ta) |
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