SSM6J501NU,LF
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| 부품 번호 | SSM6J501NU,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.055 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM6J501NU,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 373394 pcs | 데이터 시트 | SSM6J501NU |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-UDFNB (2x2) | 연속 | U-MOSVI |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 1W (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 다른 이름들 | SSM6J501NU,LF(A SSM6J501NU,LF(B SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NULF SSM6J501NULF(TTR SSM6J501NULF(TTR-ND SSM6J501NULFTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 29.9nC @ 4.5V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) |
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- 부품#:
RNCF0805DTC13K0 - 제조업체:
Stackpole Electronics, Inc. - 기술:
RES 13K OHM 0.5% 1/8W 0805 - 재고:
3993790