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부품 번호 SSM6J51TUTE85LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 12V 4A UF6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 SSM6J51TUTE85LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 12V 4A UF6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5687 pcs 데이터 시트 Mosfets Prod GuideSSM6J51TU
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 1mA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 UF6 연속 U-MOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 54 mOhm @ 2A, 2.5V 전력 소비 (최대) 500mW (Ta)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads
다른 이름들 SSM6J51TU(TE85LF)DKR
SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND
SSM6J51TUTE85LFDKR
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 10V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 2.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V
상세 설명 P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta)

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