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STGYA120M65DF2

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부품 번호 STGYA120M65DF2
제조사 STMicroelectronics
기술 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 14132 pcs
참조 가격
(US 달러)
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$3.961$3.639$3.073$2.734

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부품 번호 STGYA120M65DF2 제조사 STMicroelectronics
기술 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 14132 pcs 데이터 시트 STGYA120M65DF2 Datasheet
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.95V @ 15V, 120A 시험 조건 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 66ns/185ns 에너지 전환 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
제조업체 장치 패키지 MAX247™ 연속 *
역 회복 시간 (trr) 202ns 전력 - 최대 625W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3 Exposed Pad
다른 이름들 497-16976 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 NPT, Trench Field Stop
게이트 충전 420nC 상세 설명 IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 360A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 160A

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