STGWT80H65DFB
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| 부품 번호 | STGWT80H65DFB |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.752 | $2.37 | $2.057 | $1.792 | $1.56 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | STGWT80H65DFB | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 22178 pcs | 데이터 시트 | STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2V @ 15V, 80A | 시험 조건 | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 84ns/280ns | 에너지 전환 | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P | 연속 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 85ns | 전력 - 최대 | 469W |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 다른 이름들 | 497-14234-5 | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Standard |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop | 게이트 충전 | 414nC |
| 상세 설명 | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 240A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 120A |
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- 부품#:
STGYA120M65DF2 - 제조업체:
STMicroelectronics - 기술:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S - 재고:
14132
