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BSZ160N10NS3GATMA1

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부품 번호 BSZ160N10NS3GATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 75019 pcs
참조 가격
(US 달러)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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부품 번호 BSZ160N10NS3GATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 75019 pcs 데이터 시트 BSZ160N10NS3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 12µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TSDSON-8 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 16 mOhm @ 20A, 10V 전력 소비 (최대) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 BSZ160N10NS3 GINDKR
BSZ160N10NS3 GINDKR-ND
BSZ160N10NS3GATMA1DKR		 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Ta), 40A (Tc)

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