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BSZ16DN25NS3GATMA1

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부품 번호 BSZ16DN25NS3GATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 73617 pcs
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부품 번호 BSZ16DN25NS3GATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 73617 pcs 데이터 시트 BSZ16DN25NS3G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 32µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TSDSON-8 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 165 mOhm @ 5.5A, 10V 전력 소비 (최대) 62.5W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GATMA1TR
BSZ16DN25NS3GTR
BSZ16DN25NS3GTR-ND
SP000781800		 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 920pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11.4nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 250V 상세 설명 N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.9A (Tc)

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