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BSZ120P03NS3EGATMA1

BSZ120P03NS3EGATMA1
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부품 번호 BSZ120P03NS3EGATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 218248 pcs
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부품 번호 BSZ120P03NS3EGATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 218248 pcs 데이터 시트 BSZ120P03NS3E G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.1V @ 73µA
Vgs (최대) ±25V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TSDSON-8 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12 mOhm @ 20A, 10V 전력 소비 (최대) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
SP000709730		 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3360pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 45nC @ 10V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 40A (Tc)

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