TH5E106K021A1000

OMRON AUTOMATION & SAFETY이미지는 참조 용입니다.
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 TH5E106K021A1000 구입
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 TH5E106K021A1000 구입
조회를 요청하다
| 부품 번호 | TH5E106K021A1000 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | CAP TANT 10UF 21V 10% 2917 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 400 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.661 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TH5E106K021A1000 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | CAP TANT 10UF 21V 10% 2917 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 6361 pcs | 데이터 시트 | TH5 Series Datasheet |
| 범주 | 커패시터 | 전압 - 정격 | 21V |
| 유형 | Molded | 용인 | ±10% |
| 크기 / 치수 | 0.287" L x 0.170" W (7.29mm x 4.32mm) | 연속 | TANTAMOUNT®, TH5 |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 2917 (7343 Metric) |
| 다른 이름들 | 718-1898-2 | 작동 온도 | -55°C ~ 200°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks | 제조 회사 규격 코드 | E |
| 수명 @ 온도. | - | 리드 간격 | - |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 높이 - 장착 (최대) | 0.169" (4.30mm) |
| 풍모 | High Reliability | 고장율 | - |
| ESR (등가 직렬 저항) | 1 Ohm | 상세 설명 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 21V 2917 (7343 Metric) 1 Ohm |
| 정전 용량 | 10µF |
- 관련 상품
- 관련 뉴스
관련 상품
- 부품#:
TH58NVG3S0HTA00 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
12463
- 부품#:
TH58BVG3S0HTAI0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE - 재고:
9796
- 부품#:
TH58BVG2S3HTAI0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
18723
- 부품#:
TH58NVG3S0HBAI4 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V - 재고:
10186
- 부품#:
TH58NYG2S3HBAI4 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V - 재고:
18508
- 부품#:
TH58BVG2S3HBAI4 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE - 재고:
16969
- 부품#:
TH58NVG4S0HTAK0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
5826
- 부품#:
TH58NVG5S0FTA20 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
3408
- 부품#:
TH58NVG4S0HTA20 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
6488
- 부품#:
TH58BVG3S0HTA00 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
13377
- 부품#:
TH58BYG3S0HBAI6 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V - 재고:
10199
- 부품#:
TH58BVG2S3HTA00 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
20006
- 부품#:
TH58NVG5S0FTAK0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM - 재고:
2874
- 부품#:
TH58NVG2S3HTAI0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
20768
- 부품#:
TH58NVG2S3HTA00 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
24293
- 부품#:
TH58BYG2S3HBAI6 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA - 재고:
21389
- 부품#:
TH58NVG3S0HTAI0 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I - 재고:
14470
- 부품#:
TH58NYG3S0HBAI6 - 제조업체:
Toshiba Memory America, Inc. - 기술:
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA - 재고:
13380
