TH58BYG2S3HBAI4
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| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 기술 | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 210 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.068 | |||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI4 | 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| 기술 | 4G SLC NAND BGA 24NM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 14836 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 전압 - 공급 | - | 과학 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 제조업체 장치 패키지 | 63-TFBGA (9x11) | 연속 | Benand™ |
| 패키지 / 케이스 | 63-VFBGA | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) | 메모리 인터페이스 | - |
| 메모리 형식 | FLASH | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
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