TH58BYG2S3HBAI6
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| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 기술 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.252 | $2.055 | $2.016 | $2.002 | ||
| 100 pcs | 338 pcs | 676 pcs | 1014 pcs | ||
| $1.796 | $1.789 | $1.678 | $1.606 | ||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI6 | 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 21389 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V | 과학 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 제조업체 장치 패키지 | 67-VFBGA (6.5x8) | 연속 | Benand™ |
| 포장 | Tray | 패키지 / 케이스 | 67-VFBGA |
| 다른 이름들 | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Non-Volatile | 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | FLASH |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| 액세스 시간 | 25ns |
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