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NTLUS4C12NTAG

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부품 번호 NTLUS4C12NTAG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 154253 pcs
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부품 번호 NTLUS4C12NTAG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 154253 pcs 데이터 시트 NTLUS4C12N
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.1V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 6-UDFN (2x2) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 9 mOhm @ 9A, 10V 전력 소비 (최대) 630mW (Ta)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
다른 이름들 NTLUS4C12NTAGOSCT 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 22 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1172pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.3V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A (Ta)

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