NTLUS3A39PZTBG

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부품 번호	NTLUS3A39PZTBG
제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 142756 pcs
참조 가격 (US 달러)	3000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.16

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	NTLUS3A39PZTBG	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	142756 pcs	데이터 시트	NTLUS3A39PZ
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	1V @ 250µA
Vgs (최대)	±8V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	6-UDFN (1.6x1.6)	연속	µCool™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	39 mOhm @ 4A, 4.5V	전력 소비 (최대)	600mW (Ta)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	6-PowerUFDFN
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	제조업체 표준 리드 타임	6 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	920pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	10.4nC @ 4.5V	FET 유형	P-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	20V	상세 설명	P-Channel 20V 3.4A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	3.4A (Ta)

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