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NTLUS3C18PZTBG

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부품 번호 NTLUS3C18PZTBG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 104704 pcs
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부품 번호 NTLUS3C18PZTBG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 104704 pcs 데이터 시트 NTLUS3C18PZ
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 6-UDFN (1.6x1.6) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 24 mOhm @ 7A, 4.5V 전력 소비 (최대) 660mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 6-PowerUFDFN
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1570pF @ 6V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15.8nC @ 4.5V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V
상세 설명 P-Channel 12V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.4A (Ta)

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