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부품 번호 NGTB50N60S1WG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 50A 600V TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 17229 pcs
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부품 번호 NGTB50N60S1WG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 50A 600V TO-247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 17229 pcs 데이터 시트 NGTB50N60S1WG
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 50A 시험 조건 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 100ns/237ns 에너지 전환 1.5mJ (on), 460µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-247-3 연속 -
역 회복 시간 (trr) 94ns 전력 - 최대 417W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
다른 이름들 NGTB50N60S1WGOS 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 Trench 게이트 충전 220nC
상세 설명 IGBT Trench 600V 100A 417W Through Hole TO-247-3 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 200A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100A

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