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NGTB50N60FWG

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부품 번호 NGTB50N60FWG
제조사 ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 100A 223W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 27517 pcs
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부품 번호 NGTB50N60FWG 제조사 ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 100A 223W TO247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 27517 pcs 데이터 시트 NGTB50N60FWG
범주 이산 반도체 제품 전압 - 오프셋 (VT) 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100A 전압 - 파괴 TO-247
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) Trench IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 600V
시험 조건 117ns/285ns Td (온 / 오프) @ 25 ° C 310nC
에너지 전환 200A 연속 -
RoHS 상태 Tube 전력 - 최대 223W
편광 TO-247-3 다른 이름들 NGTB50N60FWGOS
작동 온도 - 정션 77ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 NGTB50N60FWG 입력 유형 Standard
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 1.7V @ 15V, 50A 게이트 충전 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
확장 설명 IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247 기술 IGBT 600V 100A 223W TO247

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