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부품 번호 NGTB75N65FL2WG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 75A TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 14054 pcs
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(US 달러)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs
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부품 번호 NGTB75N65FL2WG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 75A TO247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 14054 pcs 데이터 시트 NGTB75N65FL2WG
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 75A 시험 조건 400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 110ns/270ns 에너지 전환 1.5mJ (on), 1mJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-247 연속 -
역 회복 시간 (trr) 80ns 전력 - 최대 595W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
다른 이름들 NGTB75N65FL2WG-ND
NGTB75N65FL2WGOS		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 23 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 Trench Field Stop
게이트 충전 310nC 상세 설명 IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 200A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100A

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