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NGTB10N60FG

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부품 번호 NGTB10N60FG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 10A TO220F3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 94717 pcs
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부품 번호 NGTB10N60FG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 10A TO220F3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 94717 pcs 데이터 시트 NGTB10N60FG
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.7V @ 15V, 10A 시험 조건 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 40ns/145ns 에너지 전환 -
제조업체 장치 패키지 TO-220F-3FS 연속 -
역 회복 시간 (trr) 70ns 전력 - 최대 40W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
다른 이름들 NGTB10N60FG-ND
NGTB10N60FGOS
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 55nC 상세 설명 IGBT 600V 20A 40W Through Hole TO-220F-3FS
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 72A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 20A

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