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부품 번호 NGTB03N60R2DT4G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 9A 600V DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 177853 pcs
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부품 번호 NGTB03N60R2DT4G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 9A 600V DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 177853 pcs 데이터 시트 NGTB03N60R2DT4G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.1V @ 15V, 3A 시험 조건 300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 27ns/59ns 에너지 전환 50µJ (on), 27µJ (off)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
역 회복 시간 (trr) 65ns 전력 - 최대 49W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 NGTB03N60R2DT4GOSTR 작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 17 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 17nC 상세 설명 IGBT 600V 9A 49W Surface Mount DPAK
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 12A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 9A

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