NGTB15N60S1EG

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부품 번호	NGTB15N60S1EG
제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	IGBT 600V 30A 117W TO220-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 82507 pcs
참조 가격 (US 달러)	1 pcs	50 pcs	100 pcs	500 pcs	1000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.586	$0.495	$0.422	$0.347	$0.287

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	NGTB15N60S1EG	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	IGBT 600V 30A 117W TO220-3	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	82507 pcs	데이터 시트	NGTB15N60S1EG
범주	이산 반도체 제품	전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)	1.7V @ 15V, 15A	시험 조건	400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C	65ns/170ns	에너지 전환	550µJ (on), 350µJ (off)
제조업체 장치 패키지	TO-220	연속	-
역 회복 시간 (trr)	270ns	전력 - 최대	117W
포장	Tube	패키지 / 케이스	TO-220-3
다른 이름들	NGTB15N60S1EG-ND NGTB15N60S1EGOS	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	27 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 유형	Standard	IGBT 유형	NPT
게이트 충전	88nC	상세 설명	IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)	120A	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	30A

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