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BYC8B-600PJ

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부품 번호 BYC8B-600PJ
제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 BYC8B-600PJ 제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 180795 pcs 데이터 시트 BYC8B-600P
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 8A 전압 - 파괴 D2PAK
연속 - RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
역 회복 시간 (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) 만약, F @ 저항 -
편광 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 다른 이름들 1740-1240-2
568-11655-2
568-11655-2-ND
568-11655-ND
934068322118
BYC8B-600PJ-ND
작동 온도 - 정션 18ns 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
제조업체 부품 번호 BYC8B-600PJ 확장 설명 Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK
다이오드 구성 20µA @ 600V 기술 DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK
전류 - 누설 Vr에서 역방향 3.4V @ 8A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 600V
VR, F @ 용량 175°C (Max)

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