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BYC30WT-600PQ

BYC30WT-600PQ
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부품 번호 BYC30WT-600PQ
제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 70133 pcs
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부품 번호 BYC30WT-600PQ 제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 70133 pcs 데이터 시트 BYC30WT-600P
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 30A 전압 - 파괴 TO-247-3
연속 - RoHS 상태 Tube
역 회복 시간 (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) 만약, F @ 저항 -
편광 TO-247-3 다른 이름들 934068091127
작동 온도 - 정션 22ns 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
제조업체 부품 번호 BYC30WT-600PQ 확장 설명 Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247-3
다이오드 구성 10µA @ 600V 기술 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
전류 - 누설 Vr에서 역방향 2.75V @ 30A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 600V
VR, F @ 용량 175°C (Max)

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