SIHB12N65E-GE3
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| 부품 번호 | SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.487 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHB12N65E-GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 64598 pcs | 데이터 시트 | SIHB12N65E-GE3 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 1224pF @ 100V |
| 전압 - 파괴 | D²PAK (TO-263) | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12A (Tc) |
| 편광 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 19 Weeks | 제조업체 부품 번호 | SIHB12N65E-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 70nC @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 650V | 용량 비율 | 156W (Tc) |
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