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SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3
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부품 번호 SIHB10N40D-GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 60291 pcs
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부품 번호 SIHB10N40D-GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 400V 10A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 60291 pcs 데이터 시트 SIHB10N40D
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-263 (D²Pak) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 600 mOhm @ 5A, 10V 전력 소비 (최대) 147W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 526pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 400V 상세 설명 N-Channel 400V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc)

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