TRS8E65C,S1Q
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| 부품 번호 | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.822 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TRS8E65C,S1Q | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 12040 pcs | 데이터 시트 | TRS8E65C |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.7V @ 8A |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 650V | 제조업체 장치 패키지 | TO-220-2L |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 연속 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 0ns | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 | 다른 이름들 | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| 작동 온도 - 정션 | 175°C (Max) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 12 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 상세 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 90µA @ 650V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 8A (DC) | VR, F @ 용량 | 44pF @ 650V, 1MHz |
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