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TRS6E65C,S1AQ

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부품 번호 TRS6E65C,S1AQ
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 14356 pcs
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부품 번호 TRS6E65C,S1AQ 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 14356 pcs 데이터 시트 TRS6E65C
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Silicon Carbide Schottky
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 6A (DC) 전압 - 파괴 TO-220-2L
연속 - RoHS 상태 Tube
역 회복 시간 (trr) No Recovery Time > 500mA (Io) 만약, F @ 저항 35pF @ 650V, 1MHz
편광 TO-220-2 다른 이름들 TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1Q
TRS6E65CS1Q-ND
작동 온도 - 정션 0ns 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
제조업체 부품 번호 TRS6E65C,S1AQ 확장 설명 Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
다이오드 구성 90µA @ 650V 기술 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
전류 - 누설 Vr에서 역방향 1.7V @ 6A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 650V
VR, F @ 용량 175°C (Max)

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