TPN2R805PL,L1Q
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| 부품 번호 | TPN2R805PL,L1Q |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.159 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TPN2R805PL,L1Q | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 136523 pcs | 데이터 시트 | TPN2R805PL |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 300µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 연속 | U-MOSIX-H |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.8 mOhm @ 40A, 10V | 전력 소비 (최대) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 다른 이름들 | TPN2R805PLL1Q |
| 작동 온도 | 175°C | 실장 형 | Surface Mount |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 39nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 45V | 상세 설명 | N-Channel 45V 139A (Ta), 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 139A (Ta), 80A (Tc) |
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