TPN2R304PL,L1Q
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| 부품 번호 | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 80A TSON |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.299 | $0.23 | $0.171 | $0.137 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TPN2R304PL,L1Q | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 159376 pcs | 데이터 시트 | TPN2R304PL |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 0.3mA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 연속 | U-MOSIX-H |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.3 mOhm @ 40A, 10V | 전력 소비 (최대) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 다른 이름들 | TPN2R304PLL1QCT | 작동 온도 | 175°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 41nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | 상세 설명 | N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
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