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부품 번호 TK4R4P06PL,RQ
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 73874 pcs
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부품 번호 TK4R4P06PL,RQ 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 73874 pcs 데이터 시트 TK4R4P06PL
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 500µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 U-MOSIX-H
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.4 mOhm @ 29A, 10V 전력 소비 (최대) 87W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 TK4R4P06PLRQDKR 작동 온도 175°C
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3280pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 48.2nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 58A (Tc)

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