TK4R3E06PL,S1X
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| 부품 번호 | TK4R3E06PL,S1X |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.812 | $0.655 | $0.589 | $0.458 | $0.38 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TK4R3E06PL,S1X | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 101655 pcs | 데이터 시트 | TK4R3E06PL |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 500µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220 | 연속 | U-MOSIX-H |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 87W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | TK4R3E06PL,S1X(S TK4R3E06PLS1X |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3280pF @ 30V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
| 상세 설명 | N-Channel 60V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
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