TK35N65W,S1F
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| 부품 번호 | TK35N65W,S1F |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.93 | $2.403 | $2.169 | $1.817 | $1.582 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TK35N65W,S1F | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 24032 pcs | 데이터 시트 | TK35N65W |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 2.1mA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247 | 연속 | DTMOSIV |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80 mOhm @ 17.5A, 10V | 전력 소비 (최대) | 270W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 다른 이름들 | TK35N65W,S1F(S TK35N65W,S1F-ND TK35N65WS1F |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V | 상세 설명 | N-Channel 650V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Ta) |
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