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TK380A60Y,S4X

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부품 번호 TK380A60Y,S4X
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 98527 pcs
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부품 번호 TK380A60Y,S4X 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 98527 pcs 데이터 시트 TK380A60Y
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 360µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-220SIS 연속 DTMOSV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 380 mOhm @ 4.9A, 10V 전력 소비 (최대) 30W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
다른 이름들 TK380A60Y,S4X(S
TK380A60YS4X
TK380A60YS4X(S
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 590pF @ 300V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V
상세 설명 N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.7A (Tc)

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