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SSM6J212FE,LF

SSM6J212FE,LF
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부품 번호 SSM6J212FE,LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 20V 4A ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 304357 pcs
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부품 번호 SSM6J212FE,LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 20V 4A ES6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 304357 pcs 데이터 시트 SSM6J212FEMosfets Prod Guide
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 1mA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 ES6 연속 U-MOSVI
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V 전력 소비 (최대) 500mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
다른 이름들 SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FE(TE85LFTR-ND
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FETE85LF
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 970pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 14.1nC @ 4.5V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V 상세 설명 P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta)

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