SSM3J56MFV,L3F
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| 부품 번호 | SSM3J56MFV,L3F |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.03 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM3J56MFV,L3F | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 828692 pcs | 데이터 시트 | SSM3J56MFV |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | - |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | VESM | 연속 | U-MOSVI |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 150mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-723 |
| 다른 이름들 | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 100pF @ 10V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 800mA (Ta) |
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