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SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F
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부품 번호 SSM3J35MFV,L3F
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1687395 pcs
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부품 번호 SSM3J35MFV,L3F 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1687395 pcs 데이터 시트 SSM3J35MFV
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) -
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 VESM
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8 Ohm @ 50mA, 4V
전력 소비 (최대) 150mW (Ta) 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-723 다른 이름들 SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFVTL3T
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.2pF @ 3V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta)

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