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RN1106MFV,L3F

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부품 번호 RN1106MFV,L3F
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS NPN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4122737 pcs
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부품 번호 RN1106MFV,L3F 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS NPN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4122737 pcs 데이터 시트 RN1101MFV - RN1106MFV
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 500µA, 5mA 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 VESM 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms
전력 - 최대 150mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-723 다른 이름들 RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3F-ND
RN1106MFVL3FTR
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 16 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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