RN1105,LF(CT

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부품 번호	RN1105,LF(CT
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
기술	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

	30000 pcs	75000 pcs	150000 pcs
~~In Stock~~ 2308935 pcs
참조 가격 (US 달러)	3000 pcs	6000 pcs	15000 pcs
	$0.017	$0.015	$0.013
	$0.012	$0.011	$0.01

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	RN1105,LF(CT	제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
기술	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	2308935 pcs	데이터 시트	RN1101-06
범주	이산 반도체 제품	전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	300mV @ 250µA, 5mA	트랜지스터 유형	NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지	SSM	연속	-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)	47 kOhms	저항기 -베이스 (R1)	2.2 kOhms
전력 - 최대	100mW	포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	SC-75, SOT-416	다른 이름들	RN1105 (T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5LFT)TR RN1105(T5LFT)TR-ND RN1105,LF(CB RN1105LF(CT RN1105LF(CT-ND RN1105LF(CTTR RN1105T5LFT
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	16 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환	250MHz	상세 설명	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	80 @ 10mA, 5V	전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	100mA

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