MT3S113TU,LF
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| 부품 번호 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | 30000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.094 | $0.089 | $0.086 | $0.083 | ||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | MT3S113TU,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 272513 pcs | 데이터 시트 | MT3S113TU |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 5.3V |
| 트랜지스터 유형 | NPN | 제조업체 장치 패키지 | UFM |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 900mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 다른 이름들 | MT3S113TU,LF(B MT3S113TULF MT3S113TULF(B MT3S113TULFTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 잡음 지수 (f에서 dB Typ) | 1.45dB @ 1GHz | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 12 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 이득 | 12.5dB |
| 주파수 - 전환 | 11.2GHz | 상세 설명 | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 200 @ 30mA, 5V | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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