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MT3S111(TE85L,F)

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부품 번호 MT3S111(TE85L,F)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 198687 pcs
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부품 번호 MT3S111(TE85L,F) 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 198687 pcs 데이터 시트 MT3S111
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 6V
트랜지스터 유형 NPN 제조업체 장치 패키지 S-Mini
연속 - 전력 - 최대 700mW
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 MT3S111(TE85LF)DKR 작동 온도 150°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ) 1.2dB @ 1GHz 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 이득 12dB
주파수 - 전환 11.5GHz 상세 설명 RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 200 @ 30mA, 5V 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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