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TSM120NA03CR RLG

TSM120NA03CR RLG
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부품 번호 TSM120NA03CR RLG
제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 179232 pcs
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부품 번호 TSM120NA03CR RLG 제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 179232 pcs 데이터 시트 TSM120NA03CR
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-PDFN (5x6) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 11.7 mOhm @ 11A, 10V 전력 소비 (최대) 33W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 TSM120NA03CR RLGCT
TSM120NA03CR RLGCT-ND
TSM120NA03CRRLGCT
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 28 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 562pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 39A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A (Tc)

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