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TSM120N10PQ56 RLG

TSM120N10PQ56 RLG
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부품 번호 TSM120N10PQ56 RLG
제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5688 pcs
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부품 번호 TSM120N10PQ56 RLG 제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5688 pcs 데이터 시트 TSM120N10PQ56
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-PDFN (5x6) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12 mOhm @ 30A, 10V 전력 소비 (최대) 36W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 TSM120N10PQ56 RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
TSM120N10PQ56RLGTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3902pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 145nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 58A (Tc)

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