JAN1N6623
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| 부품 번호 | JAN1N6623 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JAN1N6623 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4123 pcs | 데이터 시트 | 1N6620-25 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A | 전압 - 파괴 | A-PAK |
| 연속 | Military, MIL-PRF-19500/585 | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | A, Axial | 다른 이름들 | 1086-19964 1086-19964-MIL |
| 작동 온도 - 정션 | 30ns | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | JAN1N6623 |
| 확장 설명 | Diode Standard 800V 1A Through Hole A-PAK | 다이오드 구성 | 500nA @ 800V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.55V @ 1A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 800V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 150°C |
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